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NP109N04PUG-E1-AY

NP109N04PUG-E1-AY

僅供參考

型號 NP109N04PUG-E1-AY
PNEDA編號 NP109N04PUG-E1-AY
描述 MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
制造商 Renesas Electronics America
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庫存 7,128
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
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NP109N04PUG-E1-AY資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NP109N04PUG-E1-AY
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NP109N04PUG-E1-AY, NP109N04PUG-E1-AY數據表 (總頁數: 10, 大小: 284.49 KB)
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NP109N04PUG-E1-AY規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)110A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.3mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs270nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds15750pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.8W (Ta), 220W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263-3
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 35V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

336mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

850mW (Ta), 20W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

6.5W (Ta), 39.5W (Tc)

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Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

339mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1076pF @ 100V

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