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NP160N055TUJ-E1-AY

NP160N055TUJ-E1-AY

僅供參考

型號 NP160N055TUJ-E1-AY
PNEDA編號 NP160N055TUJ-E1-AY
描述 MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7
制造商 Renesas Electronics America
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庫存 7,254
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
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NP160N055TUJ-E1-AY資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NP160N055TUJ-E1-AY
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NP160N055TUJ-E1-AY規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)160A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs180nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10350pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.8W (Ta), 250W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263-7
包裝/箱TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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3.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

563pF @ 25V

FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 450mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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