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NP5Q064AE3ESFC0E

NP5Q064AE3ESFC0E

僅供參考

型號 NP5Q064AE3ESFC0E
PNEDA編號 NP5Q064AE3ESFC0E
描述 IC PCM 64M SPI 16SO W
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 2,034
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NP5Q064AE3ESFC0E資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NP5Q064AE3ESFC0E
類別半導體內存IC內存

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NP5Q064AE3ESFC0E規格

制造商Micron Technology Inc.
系列Omneo™
內存類型Non-Volatile
內存格式PCM (PRAM)
技術PCM (PRAM)
內存大小64Mb (8M x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率66MHz
寫周期-字,頁280µs
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝16-SO W

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

16Gb (256M x 64)

內存接口

-

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.2V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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內存類型

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內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR4

內存大小

8Gb (512M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.6GHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

19ns

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - DDR2

內存大小

2Gb (256M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

450ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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