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NP60N03SUG-E1-AY

NP60N03SUG-E1-AY

僅供參考

型號 NP60N03SUG-E1-AY
PNEDA編號 NP60N03SUG-E1-AY
描述 MOSFET N-CH 30V 60A TO-252
制造商 Renesas Electronics America
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庫存 6,714
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NP60N03SUG-E1-AY資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NP60N03SUG-E1-AY
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NP60N03SUG-E1-AY規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)60A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs135nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.2W (Ta), 105W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252 (MP-3ZK)
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

430mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2670pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.5nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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