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NP60N04MUK-S18-AY

NP60N04MUK-S18-AY

僅供參考

型號 NP60N04MUK-S18-AY
PNEDA編號 NP60N04MUK-S18-AY
描述 MOSFET N-CH 40V 60A TO-220
制造商 Renesas Electronics America
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庫存 4,338
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NP60N04MUK-S18-AY資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NP60N04MUK-S18-AY
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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NP60N04MUK-S18-AY規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)60A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs63nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3680pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.8W (Ta), 105W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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160A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

330mOhm @ 9.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 750µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

84nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1820pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

156W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

340pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 530µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

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