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NRVB2045EMFST1G

NRVB2045EMFST1G

僅供參考

型號 NRVB2045EMFST1G
PNEDA編號 NRVB2045EMFST1G
描述 DIODE SCHOTTKY 45V 20A 5DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,752
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NRVB2045EMFST1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NRVB2045EMFST1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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NRVB2045EMFST1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)45V
電流-平均整流(Io)20A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果640mV @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr400µA @ 45V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

100mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 70mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 250V

電容@ Vr,F

3pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 600mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 75V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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