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NRVB8H100MFSWFT1G

NRVB8H100MFSWFT1G

僅供參考

型號 NRVB8H100MFSWFT1G
PNEDA編號 NRVB8H100MFSWFT1G
描述 DIODE SCHOTTKY 8A 100V SO8FL
制造商 ON Semiconductor
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庫存 6,966
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 3 - 一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NRVB8H100MFSWFT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NRVB8H100MFSWFT1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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NRVB8H100MFSWFT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 1200V

電容@ Vr,F

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

24ns

當前-反向泄漏@ Vr

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

200pF @ 4V, 1MHz

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