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NRVBD640VCTT4G

NRVBD640VCTT4G

僅供參考

型號 NRVBD640VCTT4G
PNEDA編號 NRVBD640VCTT4G
描述 DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V 3A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $7.7399
100 ---------- $7.3771
250 ---------- $7.0143
500 ---------- $6.6515
750 ---------- $6.3491
1,000 ---------- $6.0468
庫存 42
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NRVBD640VCTT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NRVBD640VCTT4G
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
NRVBD640VCTT4G, NRVBD640VCTT4G數據表 (總頁數: 8, 大小: 168.4 KB)
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NRVBD640VCTT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列SWITCHMODE™
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)40V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果700mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 40V
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

820mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 45V

工作溫度-結點

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安裝類型

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 150A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

8mA @ 20V

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 350A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 1800V

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

安裝類型

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