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NRVBM120LT1G

NRVBM120LT1G

僅供參考

型號 NRVBM120LT1G
PNEDA編號 NRVBM120LT1G
描述 DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NRVBM120LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NRVBM120LT1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
NRVBM120LT1G, NRVBM120LT1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 169.03 KB)
PDFNRVBM120LT1G數據表 封面
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NRVBM120LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列POWERMITE®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)20V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果650mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 10V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-216AA
供應商設備包裝Powermite
工作溫度-結點-55°C ~ 125°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 35V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

560mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

570µA @ 45V

電容@ Vr,F

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

90V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-201AD

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制造商

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

90V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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