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NRVTS8120EMFST3G

NRVTS8120EMFST3G

僅供參考

型號 NRVTS8120EMFST3G
PNEDA編號 NRVTS8120EMFST3G
描述 DIODE SCHOTTKY 120V 8A 5DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,876
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NRVTS8120EMFST3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NRVTS8120EMFST3G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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NRVTS8120EMFST3G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)120V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果880mV @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 120V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.33V @ 471A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

35mA @ 300V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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