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NS8GTHE3/45

NS8GTHE3/45

僅供參考

型號 NS8GTHE3/45
PNEDA編號 NS8GTHE3-45
描述 DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,786
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NS8GTHE3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NS8GTHE3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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PDFNS8KT-7002HE3/45數據表 封面
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NS8GTHE3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 8A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (HSMA)

工作溫度-結點

-50°C ~ 150°C

EU01V

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

250mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.5V @ 250mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

400ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

FYV0704SMTF

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

750mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

480mV @ 750mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

5A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 5A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 650V

電容@ Vr,F

430pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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800V

電流-平均整流(Io)

800mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 800mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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