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NSB8KT-E3/45

NSB8KT-E3/45

僅供參考

型號 NSB8KT-E3/45
PNEDA編號 NSB8KT-E3-45
描述 DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,182
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSB8KT-E3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSB8KT-E3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
NSB8KT-E3/45, NSB8KT-E3/45數據表 (總頁數: 5, 大小: 140.64 KB)
PDFNS8KT-7002HE3/45數據表 封面
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NSB8KT-E3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 8A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 800V
電容@ Vr,F55pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

200A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 200A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

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工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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-

當前-反向泄漏@ Vr

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 40mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 30V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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