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NSB8MTHE3_A/P

NSB8MTHE3_A/P

僅供參考

型號 NSB8MTHE3_A/P
PNEDA編號 NSB8MTHE3_A-P
描述 DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,488
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSB8MTHE3_A/P資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSB8MTHE3_A/P
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
NSB8MTHE3_A/P, NSB8MTHE3_A/P數據表 (總頁數: 5, 大小: 140.64 KB)
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NSB8MTHE3_A/P規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 8A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 1000V
電容@ Vr,F55pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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當前-反向泄漏@ Vr

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

70pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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100ns

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