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NSBC123EDXV6T1G

NSBC123EDXV6T1G

僅供參考

型號 NSBC123EDXV6T1G
PNEDA編號 NSBC123EDXV6T1G
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSBC123EDXV6T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSBC123EDXV6T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
NSBC123EDXV6T1G, NSBC123EDXV6T1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 134.77 KB)
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  • NSBC123EDXV6T1G Distributor

NSBC123EDXV6T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2kOhms
電阻-發射極基(R2)2.2kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce8 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大500mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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