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NSBC124EDXV6T1G

NSBC124EDXV6T1G

僅供參考

型號 NSBC124EDXV6T1G
PNEDA編號 NSBC124EDXV6T1G
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 31,914
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSBC124EDXV6T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSBC124EDXV6T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
NSBC124EDXV6T1G, NSBC124EDXV6T1G數據表 (總頁數: 8, 大小: 151.99 KB)
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NSBC124EDXV6T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)22kOhms
電阻-發射極基(R2)22kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大500mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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