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NSF8BTHE3_A/P

NSF8BTHE3_A/P

僅供參考

型號 NSF8BTHE3_A/P
PNEDA編號 NSF8BTHE3_A-P
描述 DIODE GEN PURP 100V 8A ITO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,148
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSF8BTHE3_A/P資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSF8BTHE3_A/P
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
NSF8BTHE3_A/P, NSF8BTHE3_A/P數據表 (總頁數: 5, 大小: 140.64 KB)
PDFNS8KT-7002HE3/45數據表 封面
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NSF8BTHE3_A/P規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 8A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 100V
電容@ Vr,F55pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2 Insulated, TO-220AC
供應商設備包裝ITO-220AC
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 150V

電容@ Vr,F

5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

660mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 35V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

D, Axial

供應商設備包裝

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