NSM21356DW6T1G
僅供參考
| 型號 | NSM21356DW6T1G |
| PNEDA編號 | NSM21356DW6T1G |
| 描述 | TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363 |
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 5,670 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸) |
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
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NSM21356DW6T1G資源
| 品牌 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | NSM21356DW6T1G |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 |
| 數據表 |
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NSM21356DW6T1G規格
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 系列 | - |
| 晶體管類型 | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| 當前-集電極（Ic）（最大值） | 100mA |
| 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） | 50V, 65V |
| 電阻-基本（R1） | 47kOhms |
| 電阻-發射極基（R2） | 47kOhms |
| 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce | 80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V |
| Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic | 250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA |
| 當前-集電極截止（最大值） | 500nA |
| 頻率-過渡 | - |
| 功率-最大 | 230mW |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供應商設備包裝 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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