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NSR01F30MXT5G

NSR01F30MXT5G

僅供參考

型號 NSR01F30MXT5G
PNEDA編號 NSR01F30MXT5G
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,316
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSR01F30MXT5G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSR01F30MXT5G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
NSR01F30MXT5G, NSR01F30MXT5G數據表 (總頁數: 4, 大小: 46.06 KB)
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NSR01F30MXT5G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)100mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果600mV @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 30V
電容@ Vr,F0.9pF @ 10V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱2-XDFN
供應商設備包裝2-X3DFN (0.62x0.32)
工作溫度-結點125°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.95V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

55pF @ 4V, 1MHz

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

800A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1600V

電容@ Vr,F

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