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NSV1C300ET4G-VF01

NSV1C300ET4G-VF01

僅供參考

型號 NSV1C300ET4G-VF01
PNEDA編號 NSV1C300ET4G-VF01
描述 TRANS PNP 100V 3A 3DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSV1C300ET4G-VF01資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSV1C300ET4G-VF01
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NSV1C300ET4G-VF01, NSV1C300ET4G-VF01數據表 (總頁數: 6, 大小: 76.72 KB)
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NSV1C300ET4G-VF01規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 300mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 500mA, 2V
功率-最大2.1W
頻率-過渡100MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK

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160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 300mA, 5V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 1.5mA, 15mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 12.5mA, 12.5V

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 10mA, 3V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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工作溫度

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 1A, 2V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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