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NSV60101DMR6T1G

NSV60101DMR6T1G

僅供參考

型號 NSV60101DMR6T1G
PNEDA編號 NSV60101DMR6T1G
描述 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,474
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 19 - 四月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSV60101DMR6T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSV60101DMR6T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
NSV60101DMR6T1G, NSV60101DMR6T1G數據表 (總頁數: 8, 大小: 243.78 KB)
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NSV60101DMR6T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic200mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce250 @ 100mA, 5V
功率-最大530mW
頻率-過渡200MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝SC-74

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100µA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

SOT-363

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

90mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1A, 2V

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