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NSV60201LT1G

NSV60201LT1G

僅供參考

型號 NSV60201LT1G
PNEDA編號 NSV60201LT1G
描述 TRANS NPN 60V 2A SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 21,762
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 20 - 四月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSV60201LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSV60201LT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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NSV60201LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic140mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce150 @ 1A, 2V
功率-最大460mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

280mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 5V

功率-最大

725mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 700mA, 3.5A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 1A, 5V

功率-最大

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8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 80mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 4A, 3V

功率-最大

75W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

2W

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 40mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 100mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

75MHz

工作溫度

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