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NSV60201SMTWTBG

NSV60201SMTWTBG

僅供參考

型號 NSV60201SMTWTBG
PNEDA編號 NSV60201SMTWTBG
描述 TRANS NPN 60V 2A 6WDFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,292
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSV60201SMTWTBG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSV60201SMTWTBG
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NSV60201SMTWTBG, NSV60201SMTWTBG數據表 (總頁數: 6, 大小: 86.07 KB)
PDFNSV60201SMTWTBG數據表 封面
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NSV60201SMTWTBG規格

制造商ON Semiconductor
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

150mW

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 10V

功率-最大

20W

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 20mA, 400mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 50mA, 2V

功率-最大

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