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NSVBAS21HT1G

NSVBAS21HT1G

僅供參考

型號 NSVBAS21HT1G
PNEDA編號 NSVBAS21HT1G
描述 DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 92,064
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVBAS21HT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVBAS21HT1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
NSVBAS21HT1G, NSVBAS21HT1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 168.11 KB)
PDFNSVBAS21HT3G數據表 封面
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NSVBAS21HT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)250V
電流-平均整流(Io)200mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 200mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 200V
電容@ Vr,F5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-76, SOD-323
供應商設備包裝SOD-323
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

980mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

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制造商

Comchip Technology

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

150°C (Max)

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

MELF

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 560V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-15

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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