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NSVDTA114EET1G

NSVDTA114EET1G

僅供參考

型號 NSVDTA114EET1G
PNEDA編號 NSVDTA114EET1G
描述 TRANS PNP 50V BIPOLAR SC75-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,354
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVDTA114EET1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVDTA114EET1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
NSVDTA114EET1G, NSVDTA114EET1G數據表 (總頁數: 13, 大小: 372.48 KB)
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NSVDTA114EET1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce35 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝SC-75, SOT-416

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

100 kOhms

電阻-發射極基(R2)

100 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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安裝類型

Surface Mount

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電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

-

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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電阻-基本(R1)

1 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 300mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.15V @ 8mA, 800mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

250mW

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