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NSVF6003SB6T1G

NSVF6003SB6T1G

僅供參考

型號 NSVF6003SB6T1G
PNEDA編號 NSVF6003SB6T1G
描述 RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,388
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVF6003SB6T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVF6003SB6T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
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NSVF6003SB6T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡7GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)3dB @ 1GHz
增益9dB
功率-最大800mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 50mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝6-CPH

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功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.9dB @ 2GHz

增益

9.6dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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1.1dB @ 2.4GHz

增益

13.1dB

功率-最大

220mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

155 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

增益

21.5dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 13mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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