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NSVMMUN2135LT1G

NSVMMUN2135LT1G

僅供參考

型號 NSVMMUN2135LT1G
PNEDA編號 NSVMMUN2135LT1G
描述 TRANS PNP BIPO 50V SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVMMUN2135LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVMMUN2135LT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
NSVMMUN2135LT1G, NSVMMUN2135LT1G數據表 (總頁數: 12, 大小: 103.76 KB)
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NSVMMUN2135LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大246mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

33 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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