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NSVMUN5236T1G

NSVMUN5236T1G

僅供參考

型號 NSVMUN5236T1G
PNEDA編號 NSVMUN5236T1G
描述 TRANS PREBIAS NPN 0.202W SC70
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,748
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVMUN5236T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVMUN5236T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
NSVMUN5236T1G, NSVMUN5236T1G數據表 (總頁數: 10, 大小: 130.43 KB)
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NSVMUN5236T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)100 kOhms
電阻-發射極基(R2)100 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大202mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SC-70-3 (SOT323)

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

470 Ohms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

3.1 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.6 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 100mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

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PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

2.2 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 20mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

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50V

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2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

2.2 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

39 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

200mW

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 5V

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300mV @ 250µA, 5mA

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