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NTB125N02RG

NTB125N02RG

僅供參考

型號 NTB125N02RG
PNEDA編號 NTB125N02RG
描述 MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,590
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTB125N02RG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTB125N02RG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTB125N02RG, NTB125N02RG數據表 (總頁數: 7, 大小: 84.67 KB)
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NTB125N02RG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)24V
電流-25°C時的連續漏極(Id)95A (Ta), 120.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs28nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3440pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)1.98W (Ta), 113.6W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 2A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.8nC @ 4V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.1mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

108nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7380pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

263W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

195A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

13V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 3.2A, 13V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 260µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

584pF @ 100V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

73W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3195pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

48.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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