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NTBV5605T4G

NTBV5605T4G

僅供參考

型號 NTBV5605T4G
PNEDA編號 NTBV5605T4G
描述 MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,718
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTBV5605T4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTBV5605T4G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTBV5605T4G, NTBV5605T4G數據表 (總頁數: 7, 大小: 124.71 KB)
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NTBV5605T4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)18.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs140mOhm @ 8.5A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1190pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)88W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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ON Semiconductor

系列

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

162pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SuperSOT-3

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

510pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D-Pak

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 15µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.6nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

657pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-SOT89

包裝/箱

TO-243AA

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制造商

ON Semiconductor

系列

QFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

170pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 28W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vgs(th)(最大)@ ID

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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