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NTD110N02RG

NTD110N02RG

僅供參考

型號 NTD110N02RG
PNEDA編號 NTD110N02RG
描述 MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,500
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTD110N02RG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTD110N02RG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTD110N02RG, NTD110N02RG數據表 (總頁數: 6, 大小: 125.34 KB)
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NTD110N02RG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)24V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12.5A (Ta), 110A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs28nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3440pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)1.5W (Ta), 110W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D-Pak

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

334pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

175mA (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

125pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

135nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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