NTD4806N-1G
僅供參考
| 型號 | NTD4806N-1G |
| PNEDA編號 | NTD4806N-1G |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11A IPAK |
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 6,462 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸) |
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
NTD4806N-1G資源
| 品牌 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| 制造商零件編號 | NTD4806N-1G |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
| 數據表 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
在PNEDA，我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。
我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的：
及時響應
我們的團隊會迅速響應您的要求，並立即開始尋找您的零件。
保證質量
我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時，防止假冒產品。
全局訪問
我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。
Hot search vocabulary
- NTD4806N-1G Datasheet
- where to find NTD4806N-1G
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor NTD4806N-1G
- NTD4806N-1G PDF Datasheet
- NTD4806N-1G Stock
- NTD4806N-1G Pinout
- Datasheet NTD4806N-1G
- NTD4806N-1G Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- NTD4806N-1G Price
- NTD4806N-1G Distributor
NTD4806N-1G規格
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 系列 | - |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 30V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 11.3A (Ta), 79A (Tc) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 4.5V, 11.5V |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 6mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 2.5V @ 250µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 23nC @ 4.5V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 2142pF @ 12V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 1.4W (Ta), 68W (Tc) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 供應商設備包裝 | I-PAK |
| 包裝/箱 | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
您可能感興趣的產品
|
制造商 IXYS 系列 MegaMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 350mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 170nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 4500pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 300W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-247 (IXTH) 包裝/箱 TO-247-3 |
制造商 Global Power Technologies Group 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 9.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 820mOhm @ 4.75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 36nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1670pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 52W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220F 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack |
制造商 IXYS 系列 PolarHV™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 36A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 170mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 85nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 5500pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 540W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 PLUS220 包裝/箱 TO-220-3, Short Tab |
制造商 Cree/Wolfspeed 系列 C3M™ FET類型 N-Channel 技術 SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss） 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 23A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 15V Rds On（Max）@ Id，Vgs 155mOhm @ 15A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID 3.5V @ 3mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 17.3nC @ 15V Vgs（最大） +18V, -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 350pF @ 600V FET功能 - 功耗（最大值） 97W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-247-3 包裝/箱 TO-247-3 |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 DTMOSIV FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 6.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 820mOhm @ 3.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3.7V @ 310µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 12nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 390pF @ 300V FET功能 Super Junction 功耗（最大值） 60W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DPAK 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
