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NTD4806NA-1G

NTD4806NA-1G

僅供參考

型號 NTD4806NA-1G
PNEDA編號 NTD4806NA-1G
描述 MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTD4806NA-1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTD4806NA-1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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NTD4806NA-1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11.3A (Ta), 79A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 4.5V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2142pF @ 12V
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Stub Leads, IPak

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100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

69.5nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

234W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2110pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta), 30W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

331pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

57W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

62A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

104nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5940pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

780W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

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