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NTD4806NA-35G

NTD4806NA-35G

僅供參考

型號 NTD4806NA-35G
PNEDA編號 NTD4806NA-35G
描述 MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,606
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTD4806NA-35G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTD4806NA-35G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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NTD4806NA-35G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11.3A (Ta), 79A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 4.5V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2142pF @ 12V
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Stub Leads, IPak

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.9A (Ta), 38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.3mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

913pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

920mW (Ta), 20.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

180W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247AD (IXFH)

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

PowerTrench®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.2mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3800pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

54nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

210W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3V, 8V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.1mOhm @ 20A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+10V, -8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1560pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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