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NTD5806NT4G

NTD5806NT4G

僅供參考

型號 NTD5806NT4G
PNEDA編號 NTD5806NT4G
描述 MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,156
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTD5806NT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTD5806NT4G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTD5806NT4G, NTD5806NT4G數據表 (總頁數: 7, 大小: 79.17 KB)
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NTD5806NT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)33A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs19mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs38nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds860pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)40W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

349W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

I2PAK

包裝/箱

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.2nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1333pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.36W (Ta), 62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDD86113LZ

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

PowerTrench®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A (Ta), 5.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

104mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

285pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 29W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D-PAK (TO-252)

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26.8mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1624pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

41.1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

950mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

461pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

56.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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