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NTD65N03RT4G

NTD65N03RT4G

僅供參考

型號 NTD65N03RT4G
PNEDA編號 NTD65N03RT4G
描述 MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,510
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTD65N03RT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTD65N03RT4G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NTD65N03RT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.5A (Ta), 32A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1400pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)1.3W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

62A

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

63A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 31.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

205nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9165pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

595W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 500mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

80pF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

540mW (Ta)

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

175pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 350mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 108µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

1.8W (Ta)

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