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NTGS4111PT2G

NTGS4111PT2G

僅供參考

型號 NTGS4111PT2G
PNEDA編號 NTGS4111PT2G
描述 MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTGS4111PT2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTGS4111PT2G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTGS4111PT2G, NTGS4111PT2G數據表 (總頁數: 7, 大小: 131.54 KB)
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NTGS4111PT2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds750pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)630mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-TSOP
包裝/箱SOT-23-6

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FET類型

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技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2800pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.86mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

165nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12500pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

178W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 34µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4900pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.4A (Ta), 35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1205pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

910mW (Ta), 19.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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