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NTHD2102PT1G

NTHD2102PT1G

僅供參考

型號 NTHD2102PT1G
PNEDA編號 NTHD2102PT1G
描述 MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,820
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTHD2102PT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTHD2102PT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTHD2102PT1G, NTHD2102PT1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 63.74 KB)
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NTHD2102PT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs58mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16nC @ 2.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds715pF @ 6.4V
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝ChipFET™

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 6.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

632pF @ 50V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1510pF @ 10V

功率-最大

1.7W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A, 10.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

3.3W, 3.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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