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NTHD3100CT1

NTHD3100CT1

僅供參考

型號 NTHD3100CT1
PNEDA編號 NTHD3100CT1
描述 MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,932
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTHD3100CT1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTHD3100CT1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTHD3100CT1, NTHD3100CT1數據表 (總頁數: 8, 大小: 138.04 KB)
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NTHD3100CT1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.9A, 3.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.3nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds165pF @ 10V
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝ChipFET™

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.95mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

0.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 5V

功率-最大

2.5W (Ta)

工作溫度

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.8A, 8.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21.8mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

112mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 20V

功率-最大

10W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 700µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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