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NTHD5902T1

NTHD5902T1

僅供參考

型號 NTHD5902T1
PNEDA編號 NTHD5902T1
描述 MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,352
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTHD5902T1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTHD5902T1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTHD5902T1, NTHD5902T1數據表 (總頁數: 8, 大小: 198.45 KB)
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NTHD5902T1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.5 nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝ChipFET™

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

455pF @ 10V

功率-最大

3.1W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7210pF @ 25V

功率-最大

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 15V

功率-最大

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A, 4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

720pF @ 15V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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4.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 5V

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