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NTJD4105CT1G

NTJD4105CT1G

僅供參考

型號 NTJD4105CT1G
PNEDA編號 NTJD4105CT1G
描述 MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 57,318
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTJD4105CT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTJD4105CT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTJD4105CT1G, NTJD4105CT1G數據表 (總頁數: 8, 大小: 131.5 KB)
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NTJD4105CT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V, 8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)630mA, 775mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds46pF @ 20V
功率-最大270mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88/SC70-6/SOT-363

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4840pF @ 30V

功率-最大

12W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

72A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5.4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

518nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14000pF @ 25V

功率-最大

416W

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

163A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22.5mOhm @ 81.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

492nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

22400pF @ 25V

功率-最大

1136W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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制造商

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FET類型

-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

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FET類型

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FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 5V

功率-最大

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