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NTJD4158CT2G

NTJD4158CT2G

僅供參考

型號 NTJD4158CT2G
PNEDA編號 NTJD4158CT2G
描述 MOSFET N/P-CH 30V/20V SC88-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTJD4158CT2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTJD4158CT2G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTJD4158CT2G, NTJD4158CT2G數據表 (總頁數: 8, 大小: 142.1 KB)
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NTJD4158CT2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V, 20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)250mA, 880mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.5nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds33pF @ 5V
功率-最大270mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88/SC70-6/SOT-363

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1860pF @ 15V

功率-最大

2.8W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

415pF @ 50V

功率-最大

2W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

984pF @ 20V

功率-最大

11.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

168A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 20A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.1V @ 50mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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