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NTLGF3501NT1G

NTLGF3501NT1G

僅供參考

型號 NTLGF3501NT1G
PNEDA編號 NTLGF3501NT1G
描述 MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,894
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTLGF3501NT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTLGF3501NT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NTLGF3501NT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列FETKY™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds275pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.14W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-DFN (3x3)
包裝/箱6-VDFN Exposed Pad

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漏極至源極電壓(Vdss)

1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

460mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

225nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

960W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-264AA (IXFK)

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

FDS4080N7

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

PowerTrench®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1750pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.9W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SO

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMN2300UFD-7

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制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.21A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 900mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

67.62pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

470mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

3-UDFN

IRF7453TR

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

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HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

930pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SO

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2800pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.2W (Ta), 56W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-252 (MP-3ZK)

包裝/箱

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