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NTLJD3181PZTBG

NTLJD3181PZTBG

僅供參考

型號 NTLJD3181PZTBG
PNEDA編號 NTLJD3181PZTBG
描述 MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,408
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 4 - 三月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTLJD3181PZTBG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTLJD3181PZTBG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTLJD3181PZTBG, NTLJD3181PZTBG數據表 (總頁數: 7, 大小: 153.1 KB)
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NTLJD3181PZTBG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.8nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds450pF @ 10V
功率-最大710mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-WDFN (2x2)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

685pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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ON Semiconductor

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

35V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 20V

功率-最大

2.2W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

800mA, 680mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

138pF @ 60V

功率-最大

870mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

140pF @ 15V

功率-最大

640mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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