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NTLJD3181PZTBG

NTLJD3181PZTBG

僅供參考

型號 NTLJD3181PZTBG
PNEDA編號 NTLJD3181PZTBG
描述 MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,408
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 10 - 四月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTLJD3181PZTBG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTLJD3181PZTBG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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NTLJD3181PZTBG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.8nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds450pF @ 10V
功率-最大710mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-WDFN (2x2)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 10V

功率-最大

54W

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.1nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 10V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

245pF @ 15V

功率-最大

2.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5100pF @ 25V

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