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NTLJD3182FZTAG

NTLJD3182FZTAG

僅供參考

型號 NTLJD3182FZTAG
PNEDA編號 NTLJD3182FZTAG
描述 MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,348
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTLJD3182FZTAG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTLJD3182FZTAG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTLJD3182FZTAG, NTLJD3182FZTAG數據表 (總頁數: 8, 大小: 161.38 KB)
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NTLJD3182FZTAG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.2A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.8nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds450pF @ 10V
FET功能Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大值)710mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-WDFN (2x2)
包裝/箱6-WDFN Exposed Pad

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55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

480pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 45W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 20V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7150pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

48W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

73A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 44A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3550pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

48A

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 25A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 9mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.8nC @ 5V

Vgs(最大)

+6V, -4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1895pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

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