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NTLJS2103PTBG

NTLJS2103PTBG

僅供參考

型號 NTLJS2103PTBG
PNEDA編號 NTLJS2103PTBG
描述 MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 22,098
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTLJS2103PTBG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTLJS2103PTBG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NTLJS2103PTBG規格

制造商ON Semiconductor
系列µCool™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.2V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID800mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1157pF @ 6V
FET功能-
功耗(最大值)700mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-WDFN (2x2)
包裝/箱6-WDFN Exposed Pad

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

140A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 70A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

298W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

175mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

38W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 54W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.7mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1470pF @ 13V

FET功能

-

功耗(最大值)

63W (Tc)

工作溫度

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