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NTMD2P01R2G

NTMD2P01R2G

僅供參考

型號 NTMD2P01R2G
PNEDA編號 NTMD2P01R2G
描述 MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMD2P01R2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMD2P01R2G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTMD2P01R2G, NTMD2P01R2G數據表 (總頁數: 6, 大小: 142.13 KB)
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NTMD2P01R2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)16V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds750pF @ 16V
功率-最大710mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

750pF @ 16V

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SMD, Flat Lead

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.3mOhm @ 9.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1740pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SO

IRF7506TRPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

180pF @ 25V

功率-最大

1.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

供應商設備包裝

Micro8™

ALD212904PAL

Advanced Linear Devices Inc.

制造商

Advanced Linear Devices Inc.

系列

EPAD®, Zero Threshold™

FET類型

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

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FET類型

4 N-Channel (H-Bridge)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

166pF @ 40V

功率-最大

1.6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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