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NTMD4N03R2G

NTMD4N03R2G

僅供參考

型號 NTMD4N03R2G
PNEDA編號 NTMD4N03R2G
描述 MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 359,082
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMD4N03R2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMD4N03R2G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTMD4N03R2G, NTMD4N03R2G數據表 (總頁數: 8, 大小: 142.27 KB)
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NTMD4N03R2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds400pF @ 20V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 10V

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安裝類型

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

670mOhm @ 590mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.05nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 15V

功率-最大

1.15W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

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