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NTMFD4951NFT3G

NTMFD4951NFT3G

僅供參考

型號 NTMFD4951NFT3G
PNEDA編號 NTMFD4951NFT3G
描述 MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,046
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFD4951NFT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFD4951NFT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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NTMFD4951NFT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
包裝/箱8-PowerTDFN

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150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

79A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 39.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

73nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3410pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

38W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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TO-220-3 Full Pack

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

115mOhm @ 8.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 65W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

13V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 900mA, 13V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 70µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

178pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3650pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 6.25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80Ohm @ 50mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

133pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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