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NTMFS4926NT1G

NTMFS4926NT1G

僅供參考

型號 NTMFS4926NT1G
PNEDA編號 NTMFS4926NT1G
描述 MOSFET N-CH 30V 9A SO-8FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 13,926
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFS4926NT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFS4926NT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTMFS4926NT1G, NTMFS4926NT1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 127.8 KB)
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NTMFS4926NT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A (Ta), 44A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17.3nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1004pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)920mW (Ta), 21.6W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads

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50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±7V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12pF @ 3V

FET功能

-

功耗(最大值)

100mW (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3000pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

65W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

95A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 35.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 3.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

320nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8140pF @ 25V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

833W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

129nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4115pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

260W (Tc)

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