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NTMFS4943NT3G

NTMFS4943NT3G

僅供參考

型號 NTMFS4943NT3G
PNEDA編號 NTMFS4943NT3G
描述 MOSFET N-CH 30V 8.3A SO8FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,266
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFS4943NT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFS4943NT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTMFS4943NT3G, NTMFS4943NT3G數據表 (總頁數: 7, 大小: 113.17 KB)
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NTMFS4943NT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.3A (Ta), 41A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20.9nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1401pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)910mW (Ta), 22.3W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

240A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

107nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7735pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tj)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

145A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

78mOhm @ 72.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 20mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1068nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3250W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

180W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 460µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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